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2025-12-16
+2025-11-22
+2024-09-27
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JK-VMCS1200小型真空鑄造系統(最大2Kg,配啟動設備) 其最高溫度可達1200C，適合在氣氛保護環境下熔煉各種合金。用一封閉的腔體，以保證在對樣品熔煉和澆注的過程中不生成氧化物，以及形成缺陷。此款產品對于臺金探索是一款很好的實驗幫手。
MACF-2000型桌面型熔煉澆鑄爐此設備帶有一可旋轉真空腔體(熔煉和澆鑄在此腔體內)，通過感應加熱方式在真空或氣氛保護環境下可熔煉各種金屬材料，最高溫度可達2000℃，通過腔體旋轉可進行樣品澆鑄。此熔煉/澆鑄爐是一款理想的探索新一代合金的工具。
SPS-5T-2000是一款溫度可達2000℃、壓力最高5T的智能放電等離子體熱壓燒結系統（Spark Plasma Sintering），其原理是利用通-斷直流脈沖電流直接通電燒結的加壓燒結法。通斷式直流脈沖電流的主要作用是產生放電等離子體、放電沖擊壓力、焦耳熱和電場擴散作用，它具有加熱均勻，升降溫速度快、燒結時間短、組織結構可控、產品組織細小均勻、可以得到高致密度的材料、節能環保等鮮明特點
JK-VRP300是一款高溫真空熱壓機，針對于晶片的焊接或薄膜轉移，其可處理最大樣品尺寸為 300mm*300mm*70mm。儀器最高工作溫度為500℃，在此溫度下可對樣品施加的最大壓力為30T。
JK-VYP500℃高溫真空熱壓機此設備設置專門針對于晶片焊接，薄膜轉移，和LCP(液晶高聚物)層壓。加熱區100 mmx100 mm 或300 mm x300 mm。設備最高溫度可達500℃，最大壓力20-40T。
JK-VYP50高溫小型真空熱壓機是一款小型化的平板式真空熱壓機，針對于晶片的焊接或薄膜轉移，其可處理最大樣品尺寸為50mmx50mmx15mm。設備的性能非常適合于第三代半導體器件的燒結鍵合研究，儀器最高工作溫度為500℃，最大壓力為5000N。于半導體器件制備過程中的封裝互聯材料的封裝互聯工藝所需，可提供的真空與氣氛環境可以盡可能的減少材料的氧化，是性價比的實驗室研發設備。
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